在超純單晶硅片中摻入微量的硼可提高其導(dǎo)電的程度，而形成P型硅片半導(dǎo)體；如摻入微量的P或As也可提高導(dǎo)電程度，形成N型硅片半導(dǎo)體。那么，P型硅片和N型硅片有哪些區(qū)別？

P型和N型單晶硅片的區(qū)別主要有以下三點(diǎn)：

1、摻雜的東西不同：單晶硅中摻P是N型，單晶硅中摻硼為P型。

2、導(dǎo)電不同：N型是電子導(dǎo)電，P型是空隙導(dǎo)電。

3、性能不同：N型摻P越多則自由電子越多，導(dǎo)電能力越強(qiáng)，電阻率就越低。P型摻硼越多則能置換硅產(chǎn)生的空隙也越多，導(dǎo)電能力越強(qiáng)，電阻率就越低。

目前光伏行業(yè)主流產(chǎn)品是P型硅片，P型硅片制作工藝簡單，成本較低，N型硅片通常少子壽命較大，電池效率可以做得更高，但是工藝更加復(fù)雜。N型硅片摻P元素，P與硅相溶性差，拉棒時(shí)P分布不均，P型硅片摻硼元素，硼與硅分凝系數(shù)相當(dāng)，分散均勻度容易管理。